( 点击左侧竖条可分别了解各种机器的详情 )

        高密度等离子刻蚀技术是先进的超大规模集成电路制造的新一代微细加工技术。中国科学院微电子研究所“六五”、“七五”、“八五”、“九五”一直承担等离子刻蚀技术领域的国家科技攻关项目。研究成功深亚微米刻蚀技术并先后研制生产了实验研究用 RIE、MERIE 和 ICP 高密度等离子体刻蚀机。其中 ME-3 型多功能磁增强反应离子刻蚀机，荣获1995年中科院科技进步二等奖。目前用户已经遍及国内外五十余家科研院所 ( 包括北京大学、清华大学、香港科技大学、香港理工大学、新加坡某高科技公司等 )。本系列产品适用于半导体器件、集成电路、微机械、微光学、光电子等领域的研究和小规模生产，可刻蚀硅、氮化硅、二氧化硅、石英、氮化镓、铝等材料。

        磁控溅射台是具有特殊结构设计的产品，用于金属薄膜的淀积。采用本设备能使均匀性和靶材使用效率大大提高。磁控溅射台共有两种型号(SP-2和SP-3)，分别适用于科研和生产。

        PECVD设备用于氮化硅 ( SiN_x ) 和二氧化硅 ( SiO₂ ) 的低温淀积，生成钝化薄膜。我们生产的 HQ-3 型 PECVD 设备具有特殊结构的反应室设计，排除了大气对淀积薄膜的影响，因此形成的薄膜质量高、粉末极少，大大优于常规单室翻盖式机器的淀积性能。

一、刻蚀机系列

    ME-3A型磁增强反应离子刻蚀机     

ME－3型多功能机既可作反应离子刻蚀 ( RIE )，又可作磁增强反应离子刻蚀( MERIE )，且转换十分方便( 只需拨一下开关 )，由于有磁场的作用，它在较高真空度( < 1Pa )下亦可起辉并稳定工作，因此，它不仅可用于常规的半导体干法刻蚀，还特别适用于亚微米和边沿陡直图形的刻蚀。[详情请单击此处]　

     ICP-98A型等离子体刻蚀机 

  

ICP-98A型高密度等离子体刻蚀机是一种刻蚀速率高、加工精度高、损伤小的新一代先进刻蚀机。它是“九五”国家重点科技攻关项目“高密度等离子体刻蚀技术的研究”的成果。它由一组大功率的射频激励电源通过感应耦合在反应室内产生高密度等离子体，而由另一组功率较小的偏压电源引导离子垂直于被刻蚀物体运动，从而达到各向异性和高速低损伤刻蚀的目的。[详情请点击此处]　

     ICP-98C型等离子体刻蚀机

          ICP-98C型高密度等离子体刻蚀机，是在ICP-98A型高密度等离子体刻蚀机的基础上，于2000年10月研制开发的一种双室高密度

          等离子体刻蚀机，是一种刻蚀速率高、加工精度高、损伤小的新一代先进刻蚀机，达到当今世界先进水平。[详情请点击此处]

    SE-3型太阳能电池刻蚀机

        SE-3 型太阳能电池刻蚀机主要用于对太阳能电池硅片周边扩散层进行刻蚀。它通过射频电源辉光放电，使反应气体 ( 如SF₆、

        CF₄等)离解成活性原子，与硅片中的Si 等进行反应，生成挥发性产物（如SiF₄等），该产物被真空泵抽走，从而达到刻蚀的目

        的。目前，它已成为太阳能电池和光电子领域科研和生产不可缺少的设备。[详情请点击此处]

　

　

二、溅射台系列　

    SP-2型磁控溅射台

SP-2型磁控溅射台，是一种经长期实践检验、性能优良的科研和生产两用型设备，它可用于各种金属薄膜的淀积。[详情请点击此处]

    SP-3型磁控溅射台

SP－3型磁控溅射台是一种经长期实践检验、性能优良的科研和生产两用型设备，它可用于各种金属薄膜（如Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、ITO等）的淀积。[详情请点击此处]

　

三、PECVD机

   

   HQ-2型化学气相沉积系统PECVD

HQ-2型PECVD（等离子增强化学气相淀积）设备是一种用于在基片上生成高质量SiN_x和SiO₂薄膜的专用设备。淀积温度能够较高 ( 100～600^oC可调 ) ，特别适用于半导体器件和集成电路的钝化，用以提高器件和集成电路可靠性。目前，它已成为微电子和光电子领域科研和生产不可缺少的设备。[详情请点击此处]

   HQ-3型化学气相沉积系统PECVD

HQ-3型PECVD ( 等离子增强化学气相淀积 ) 设备是一种用于在基片上生成高质量SiN_x和SiO₂薄膜的专用设备。淀积温度较低 ( 280 ~ 350 ^oC可选 )，特别适用于半导体器件和集成电路的钝化，用以提高器件和集成电路可靠性。目前，它已成为微电子和光电子领域科研和生产不可缺少的设备。[详情请点击此处]