中国科学院微电子研究所研制的SP-2型磁控溅射台，是一种经长期实践检验、性能优良的科研和生产两用型设备，它可用于各种金属薄膜的淀积。

        SP-2型磁控溅射台与普通溅射台相比，它具有以下优点：

        (1) 该机具有4个靶座，可同时溅射两种金属材料，可形成多层复合膜或实现金属共溅射，还可以非金属材料反应溅射。

        (2) 基片可以烘烤，去除溅射前基片表面的潮气。基片台可以旋转，不仅可以提高均匀性，而且可以降低基片上的温度，特别适合于用剥离 (lift-off) 技术制造各种难腐蚀金属的亚微米图形 ( 如Au、Pt、Ta，超导材料等 )。 
        (3) SP-2 型磁控溅射台是专门为小片实验室研究制作的，它具有4个靶，靶在上方，基片可放在下面，有利于不规则片和易碎样品的溅射。

        配置及指标：

        1、射频电源1000W，频率 13.56MHz。直流电源2000W，共两种电源, 功率可调。带匹配器和定时器。

        2、真空室直径500mm，四个靶座。可旋转和扫描载片架。

        3、本底真空度优于 3×10^－4 Pa。

        4、采用620升/秒分子泵及8升/秒机械泵组成的真空系统。

        5、用碘钨灯加热，温度设定可控，数字显示。

        6、均匀性误差：±5% (2英寸内)

SP-2型磁控溅射台外观图