磁增强反应离子刻蚀机是积我们十多年来在半导体硅、GaAs器件及集成电路微细加工工艺方面的研究成果和实践经验，经不断改进完善而生产的性能优良、用途广泛、刻蚀速率高、均匀性及重复性好，先进实用的产品。93年获中科院科学技术进步二等奖。现已为40多所高等院校( 包括香港科技大学等)和科研单位使用。

        ME－3A型多功能机既可作反应离子刻蚀 ( RIE )，又可作磁增强反应离子刻蚀( MERIE )，且转换十分方便( 只需拨一下开关 )，由于有磁场的作用，它在较高真空度( < 1Pa )下亦可起辉并稳定工作，因此，它不仅可用于常规的半导体干法刻蚀，还特别适用于亚微米和边沿陡直图形的刻蚀，使用不同的气体，它可刻蚀 Si₃N₄、Si0₂、磷硅玻璃、Si、poly－Si、W、WSi、Mo、石英、铌、正、负光刻胶、聚乙酰亚胺等材料。

        该机型具有六路进气入口 (其中二路用于气路清洗)，采用2或4个质量流量计 ( 用户自选) 控制气流流量，因此重复性好。可自动控时。另外，该机预抽真空的时间很短 (3~5分钟)，工作效率高，操作简单。

      主要技术指标：

        射频功率： 10-500瓦 (可调)

        真空系统：  110升/秒 分子泵机组

        均匀性：      ±5% (4英寸内)

        反应室尺寸：内径 300 mm

        整机尺寸：1.06×0.7×1.32 m³

ME-3A型磁增强反应离子刻蚀机