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中国科学院微电子研究所研制的ICP-98C型高密度等离子体刻蚀机，是在ICP-98A型高密度等离子体刻蚀机的基础上，于2000年10月研制开发的一种双室高密度等离子体刻蚀机，是一种刻蚀速率高、加工精度高、损伤小的新一代先进刻蚀机。
ICP-98C型等离子体刻蚀机由两个腔体组成，其中一个腔体不接触大气，一直保持真空状态，更有利于腔体的保护及快速达到刻蚀所需的真空度。它由一组大功率的射频激励电源通过感应耦合在反应室内产生高密度等离子体，而由另一组功率较小的偏压电源引导离子垂直于被刻蚀物体运动，从而达到各向异性和高速低损伤刻蚀的目的。
该机采用带Load-Lock双室结构，可以在反应室不接触大气的情况下送取基片，它可以使用氯基气体进行刻蚀。基片采用氦冷却水冷控温措施，可在高功率下进行刻蚀，工艺范围变得宽广。涡轮分子泵及机械真空泵都采用了特殊措施，增强了抗腐蚀性。该机采用分子泵机组抽真空。因而，能避免油沾污，能在低气压下刻蚀，从而获得深亚微米图形，并能减少片子表面的聚合物淀积。
该机为实验室用机型，适用于科研和小规模生产。用Cl基气体，可刻蚀Al、GaAs、GaN等多种金属和化合物半导体薄膜材料。也可用F基气体刻蚀Si、Poly-Si、SiNx、SiO2、W、WSi、Mo、MoSi、Ta、TaSi、石英等。
该机已售往北京、上海、杭州、新加坡、苏州、西安等地的高校、科研单位及高技术公司，得到用户的一致好评。
整机性能：
1． 激励电源：13.56MHz
1500W；带匹配器和功率计。1台。
2． 偏压电源：500W；带匹配器和功率计。带定时器。1台。
3． 真空系统：620升/秒分子泵、8升/秒机械泵各1台。带真空计。
4． 反应室尺寸：Ф300mm
5． 气路系统：6路进气（其中2路可作清洗）；4个质量流量计， 4路显示。
6． 可加工片子尺寸：4英寸片。
7． 均匀性：±3% (4英寸内)
ICP-98C型等离子体刻蚀机
刻蚀实验结果：
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50Å分子电子器件图 |
纳米硅刻蚀效果图1
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熔石英刻蚀效果图1
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100 Å分子电子器件图 |
纳米硅刻蚀效果图2
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熔石英刻蚀效果图2 |
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