ICP-98A型高密度等离子体刻蚀机是一种刻蚀速率高、加工精度高、损伤小的新一代先进刻蚀机。它是“九五”国家重点科技攻关项目“高密度等离子体刻蚀技术的研究”的成果。它由一组大功率的射频激励电源通过感应耦合在反应室内产生高密度等离子体，而由另一组功率较小的偏压电源引导离子垂直于被刻蚀物体运动，从而达到各向异性和高速低损伤刻蚀的目的。

        该机采用分子泵机组抽真空，因而能避免油沾污，能在低气压下刻蚀，从而获得深亚微米图形，并能减少片子表面的聚合物淀积。

        该机为实验室用机型，适用于科研和小规模生产。用F基气体，可刻蚀Si、Poly-Si、SiC、Si₃N₄、SiO₂、W、WSi、Mo、MoSi、Ta、TaSi、石英等。用O₂气还可去胶。

        该机已售往北京、上海、杭州、苏州、香港、南京、西安、成都、深圳等地的几十所高校、科研单位及高技术公司，得到用户的一致好评。

        整机性能：

        1、激励电源：13.56MHz 1500W；带匹配器和功率计。1台。

        2、偏压电源：500W；带匹配器和功率计。带定时器。1台。

        3、真空系统：620升/秒分子泵、8升/秒机械泵各1台。带真空计。

        4、反应室尺寸：Ф300mm

        5、气路系统：6路进气 (其中2路可作清洗)；4个质量流量计，4路显示。

        6、可加工片子尺寸：Ф150mm以内。

        7、均匀性：±3%  (4英寸硅片内)

ICP-98A型等离子体刻蚀机

        参考工艺结果：

        (1)  刻蚀出线宽为 0.13µm 陡直的 SiO₂ 窗口图形。

        (2)  刻蚀出线宽为 0.15µm 陡直的 Si 窗口图形。

        (3)  Si的快速 (非陡直) 刻蚀可达 3µm/min 以上。

        (4)  刻蚀出厚度为 12µm 陡直的 SiO₂ 图形

        目前已经研究成功0.1µm级硅、二氧化硅、Ta 的陡直刻蚀技术。

        经国际查新确认：我部门研发成功的0.1～0.15µm的Si、SiO₂ 、Ta等陡直刻蚀技术已经达到国际先进水平。