HQ-3型 PECVD（等离子增强化学气相淀积）设备是一种用于在基片上生成高质量SiN_x和SiO₂薄膜的专用设备。淀积温度较低 ( 280 ~ 350^oC可选 )，特别适用于半导体器件和集成电路的钝化，用以提高器件和集成电路可靠性。目前，它已成为微电子和光电子领域科研和生产不可缺少的设备。

HQ-3型 PECVD 设备是一台设计先进、性能优良的机器。它不同于通常使用的简单翻盖式单室机(易漏大气、淀积的薄膜质量不高)，而是一种操作方便的双室系统，反应室中不存在漏大气的问题。因此，生成的膜质量很高、粉尘极少、均匀性好。例如，生长的SiN_x 的折射率可达2以上，膜在氢氟酸光刻液中基本腐蚀不动。这些特点已受到本行业不少专家(包括曾在国外长期从事该领域工作的专家)的青睐并购买使用。

HQ-3 型 PECVD 设备的配置及性能如下：

                一、配置：

              1、特别的平板式双反应室系统1套。带加温和匀气系统。

              2、机械泵2个；分子泵1套，带控制电源。

              3、射频电源一套，带正向功率和反射功率计指示，带匹配器。

              4、定时器1只。

              5、数字温度控制系统1套。

              6、自动恒（气）压系统1套（自选件）。

              7、质量流量计6个；气路6路（可增选）。

                二、性能：

        1、PECVD淀积：二氧化硅，氮化硅（SiN_x的折射率≥2）

        2、均匀性误差：≤ ± 4％（4英寸内）

3、4英寸，兼容3英寸，2英寸及小碎片。

    4、工作温度： 100～350℃

   控温精度：≤ ±1℃

        若用于有其他特殊要求，可另协商！以合同为准。

        设备照片如下：

HQ-3型化学气相淀积系统PECVD